三星加速HBM4研发，剑指英伟达等AI巨头
据报道，三星正加速推进其HBM4高带宽内存的研发和生产计划。该公司已在其平泽P4工厂着手部署1cnm（约11-12nm）工艺的DRAM生产线，并开始订购相关设备，为HBM4的量产奠定基础。该先进工艺预计将于今年投入商业化生产，主要用于制造HBM4的DRAM芯片。
Notebookcheck的报道指出，三星已完成HBM4逻辑芯片的开发，并启动了基于4nm工艺的基础裸片的试生产。这标志着HBM4的量产进程迈出了关键一步，预计将于2025年下半年正式投产，比原计划提前了约半年。三星此举旨在积极争取英伟达等关键客户的订单，为其下一代Rubin架构GPU（预计2026年上市）提供高性能内存解决方案。除了英伟达，微软和Meta的新一代定制芯片也在三星的目标客户之列。
在ISSCC 2024上，三星分享了HBM4的部分技术细节。据悉，HBM4的数据传输速率将高达2TB/s，比HBM3E快约66%；接口运行速度为6.4GT/s，位宽为2048位，最大容量可达48GB，比当前一代产品提升了约33%。值得一提的是，三星已与台积电达成合作协议，共同开发HBM4，标志着双方首次在AI芯片领域携手合作。
除了HBM4的定制化工作外，三星还将致力于集成AI计算能力和特定数据处理功能，以满足不断变化的市场需求。有传言称，三星可能采用PIM（Processing-in-Memory）技术，使内存芯片自身能够执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。这种技术将处理操作转移到HBM本身，从而减轻内存与处理器之间数据传输的负担，进一步提升系统性能。
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